IR21834STRPBF
Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen
Siehe Produktspezifikationen
942-IR21834STRPBF
IR21834STRPBF
Herst.:
Beschreibung:
Gate-Treiber Hlf Brdg Drvr Sft Trn On Lw Sd Invrt
Gate-Treiber Hlf Brdg Drvr Sft Trn On Lw Sd Invrt
Datenblatt:
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Preis (CHF)
| Menge | Stückpreis |
Erw. Preis
|
|---|---|---|
| Gurtabschnitt / MouseReel™ † | ||
| CHF 2.01 | CHF 2.01 | |
| CHF 1.50 | CHF 15.00 | |
| CHF 1.37 | CHF 34.25 | |
| CHF 1.23 | CHF 123.00 | |
| CHF 1.16 | CHF 290.00 | |
| CHF 1.12 | CHF 560.00 | |
| CHF 1.08 | CHF 1’080.00 | |
| Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500) | ||
| CHF 1.04 | CHF 2’600.00 | |
| CHF 1.02 | CHF 5’100.00 | |
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.
↩
Alternativverpackung
Datenblatt
Application Notes
- Gate Drive Characteristics and Requirements for HEXFET® power MOSFETs (PDF)
- HV Floating MOS Gate Drivers (PDF)
- IRS218(1,14) and IR218(1,14) Comparison (PDF)
- IRS218(3,34) and IR218(3,34) Comparison (PDF)
- Understanding HVIC Datasheet Specifications (PDF)
- Use Gate Charge to Design the Gate Drive Circuit for Power MOSFETs and IGBTs (PDF)
Models
Product Catalogs
Technical Resources
- Design Tip - Using Monolithic High Voltage Gate Drivers (PDF)
- High Current Buffer for Control IC's (PDF)
- Low Gate Charge HEXFETS simplify Gate Drive and Lower Cost (PDF)
- Managing Transients in Control IC Driven Power Stages (PDF)
- PWM Control Methods Increases Efficiency and Reliability; Extends Battery Charge-cycle Time (PDF)
- Using Control ICs to Generate Neg. Gate Bias for MOSFETs & IGBTs (PDF)
- CNHTS:
- 8542399000
- CAHTS:
- 8542390000
- USHTS:
- 8542310075
- KRHTS:
- 8542311000
- TARIC:
- 8542319000
- MXHTS:
- 8542310302
- ECCN:
- EAR99
