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IRF1310NPBF

Name: Infineon IRF1310NPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IRF1310NPBF
Price: 2.14 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

942-IRF1310NPBF

Herst.- Nr.:

IRF1310NPBF

Herst.:

Infineon Technologies

Datenblatt:

ECAD Model:

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	42 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	36 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	73.3 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	160 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	CN
Ursprungsland:	CN
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	2 g