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IRGP4262DPBF

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

942-IRGP4262DPBF

Herst.- Nr.:

IRGP4262DPBF

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

IGBTs 650V Lo VCEon Trench Co-Pack IGBT

Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

IRGP4262DPBF Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Versandmeldung:

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	IGBTs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247AC-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.7 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	60 A
Pd - Verlustleistung:	250 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Kollektorgleichstrom Ic max.:	60 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	100 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	25
Unterkategorie:	IGBTs
Artikel # Aliases:	SP001541786
Gewicht pro Stück:	5.420 g

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Datenblatt

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EOL

Product Discontinuation (PDF)

Models

Product Catalogs

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Mexiko
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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