Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

ISC015N04NM5ATMA1

Name: Infineon ISC015N04NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC015N04NM5ATMA
Price: 1.67 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-ISC015N04NM5ATMA

Herst.- Nr.:

ISC015N04NM5ATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs IFX FET 40V

Datenblatt:

ISC015N04NM5ATMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Infineon Technologies ISC015N04NM5ATMA1

Auf Lager: 8’245

Lagerbestand:: 8’245 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 52 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.67	CHF 1.67
	CHF 1.01	CHF 10.10
	CHF 0.712	CHF 71.20
	CHF 0.568	CHF 284.00
	CHF 0.496	CHF 496.00
	CHF 0.489	CHF 1’222.50
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	CHF 0.464	CHF 2’320.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TDSON-FL-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	206 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.2 V
Qg - Gate-Ladung:	51 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	115 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	ISC015N04NM5 SP005352240

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

ISC015N04NM5ATMA1 Datenblatt (PDF)

Product Catalogs

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Deutschland
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Deutschland

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Infineon - IR Entwicklungs-Leistungssysteme

Die Infineon-IR Leistungs-MOSFETs sind für eine bessere Wirksamkeit, Leistungsdichte und Kosteneffizienz für ihre Produkte ausgelegt. Der gesamte Bereich von OptiMOS™ und StrongIRFET™ n-Kanal-Leistungs-MOSFETs ermöglichen Innovation und Leistung in Anwendungen wie z. B. Schaltnetzteilen (SMPS), Motorsteuerung und -antriebe, Umrichter und Datenverarbeitung. Die OptiMOS™ und StrongIRFET™ Familien decken den 20V bis 300V Bereich der MOSFET-Produkte ab. Infineon bietet die OptiMOS™ und StrongIRFET™ Produktfamilien an. Es handelt sich um zwei hoch-innovative Familien, die konstant die höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen der wichtigsten Spezifikationen von Leistungssystementwicklungen erfüllen. OptiMOS™ ist der Marktführer von hocheffizienten Lösungen für die Energiegewinnung, Stromversorgung und den Stromverbrauch.
Weitere Informationen