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ISC016N08NM8ATMA1

Name: Infineon ISC016N08NM8ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC016N08NM8ATMA
Price: 3.85 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-ISC016N08NM8ATMA

Herst.- Nr.:

ISC016N08NM8ATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

ISC016N08NM8ATMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PG-TDSON-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	268 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.54 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	76 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	263 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	OptiMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	7.2 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	55 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6.1 ns
Serie:	OptiMOS 8
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	28 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	14 ns
Artikel # Aliases:	ISC016N08NM8 SP006165693

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Datenblatt

ISC016N08NM8ATMA1 Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Österreich
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Österreich

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

OptiMOS™ 8 Leistungs-MOSFETs

Die Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 8 von Infineon Technologies sind N-Kanal-MOSFETs mit Normalpegel und einer Nennspannung von 80 V oder 100 V sowie einem sehr niedrigen Durchlasswiderstand [R_DS(ON)]. Die 80-V-MOSFETs sind in beidseitig gekühlten Gehäusen (WSON-8) erhältlich, während die 100-V-MOSFETs in einem standardmäßigen TDSON-8-Gehäuse geliefert werden. Jedes Gehäuse zeichnet sich durch eine hervorragende thermische Beständigkeit aus und ist zu 100 % Avalanche-getestet. Die Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 8 von Infineon Technologies verfügen über eine Diode mit sanfter Erholung und sind bleifrei, halogenfrei und RoHS-konform.