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RoHS

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ISC025N08NM5LFATMA1

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-ISC025N08NM5LFAT

Herst.- Nr.:

ISC025N08NM5LFATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

ECAD Model:

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Versandmeldung:

Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.

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Herst.:

Infineon Technologies

Herst.- Nr.:

ISC025N08NM5LF2ATMA1

Beschreibung:

MOSFETs IFX FET > 60-80V

Mit dem aktuellen Teil vergleichen

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TSDSON-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	198 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.55 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.9 V
Qg - Gate-Ladung:	96 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	217 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	13 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	51 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	13 ns
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	26 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	16 ns
Artikel # Aliases:	ISC025N08NM5LF SP005750930