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ISC025N08NM6SCATMA1

Name: Infineon ISC025N08NM6SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC025N08NM6SCAT
Price: 4.08 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-ISC025N08NM6SCAT

Herst.- Nr.:

ISC025N08NM6SCATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

ISC025N08NM6SCATMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	WSON-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	170 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	46 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	167 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	OptiMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	5.3 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	40 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	8.6 ns
Serie:	OptiMOS 6
Verpackung ab Werk:	4000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	22 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15 ns
Artikel # Aliases:	ISC025N08NM6SC SP006197456

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Datenblatt

ISC025N08NM6SCATMA1 Datenblatt (PDF)

Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Österreich
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Österreich

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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