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ISC037N12NM6ATMA1

Name: Infineon ISC037N12NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC037N12NM6ATMA
Price: 3.6 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-ISC037N12NM6ATMA

Herst.- Nr.:

ISC037N12NM6ATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs IFX FET >100-150V

Datenblatt:

ISC037N12NM6ATMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 2.36	CHF 23.60
	CHF 1.74	CHF 174.00
	CHF 1.50	CHF 750.00
	CHF 1.45	CHF 1’450.00
	CHF 1.39	CHF 3’475.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	CHF 1.30	CHF 6’500.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TDSON-8FL
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	120 V
Id - Drain-Gleichstrom:	163 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.7 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.6 V
Qg - Gate-Ladung:	46 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	214 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	OptiMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	7.2 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	47 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5.6 ns
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	17 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12 ns
Artikel # Aliases:	ISC037N12NM6 SP005434366

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Datenblatt

ISC037N12NM6ATMA1 Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Deutschland
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Deutschland

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

OptiMOS™ 6 Leistungs-MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ Leistungs-MOSFETs bieten die modernste Innovation der nächsten Generation und eine erstklassige Performance. Die OptiMOS 6 Produktfamilie nutzt die Dünnwafer-Technologie, die wesentliche Leistungsvorteile ermöglicht. Verglichen mit alternativen Produkten liefern die OptiMOS 6 Leistungs-MOSFETs einen um 30 % reduzierten R_DS(ON) und sind für die Synchrongleichrichtung optimiert.