ISC046N13NM6ATMA1

Name: Infineon ISC046N13NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC046N13NM6ATMA
Price: 4.37 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-ISC046N13NM6ATMA

Herst.- Nr.:

ISC046N13NM6ATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Datenblatt:

ECAD Model:

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TDSON-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	135 V
Id - Drain-Gleichstrom:	142 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	65 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	211 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	DE
Ursprungsland:	DE
Abfallzeit:	7.2 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	55 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	7.3 ns
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	24 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15 ns
Artikel # Aliases:	ISC046N13NM6 -