Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

ISG0614N06NM5HATMA1

Name: Infineon ISG0614N06NM5HATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISG0614N06NM5HAT
Price: 3.79 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-ISG0614N06NM5HAT

Herst.- Nr.:

ISG0614N06NM5HATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs IFX FET 60V

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

ISG0614N06NM5HATMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Infineon Technologies ISG0614N06NM5HATMA1

Auf Lager: 3'011

Lagerbestand:: 3'011 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 8 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 3.79	CHF 3.79
	CHF 2.64	CHF 26.40
	CHF 1.88	CHF 188.00
	CHF 1.65	CHF 825.00
	CHF 1.59	CHF 1'590.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 1.51	CHF 4'530.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TFN-10
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	233 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.3 V
Qg - Gate-Ladung:	68 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	167 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	6.8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	70 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	8.7 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	31 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	18 ns
Artikel # Aliases:	ISG0614N06NM5H SP005575180

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

ISG0614N06NM5HATMA1 Datenblatt (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 5 Leistungs-MOSFETs

Infineon OptiMOS™ 5 Leistungs-MOSFETs sind dazu konzipiert, den Anforderungen nach verbesserter Systemeffizienz bei reduzierten Systemkosten zu entsprechen. Diese Geräte weisen niedrigeren RDS(on) und Gütefaktor (RDS(on) x Qg) auf, verglichen mit alternativen Geräten. Sie wurden unter Verwendung einer neuen Siliziumtechnologie entwickelt und sind optimiert, um den Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte zu entsprechen und diese zu übertreffen. Zu den typischen Anwendungsbereichen dieser MOSFETs gehören Server, Datenkommunikation und Client-Anwendungen in der Computerbranche. Sie können außerdem in der Synchrongleichrichterschaltung bei Schaltnetzteilen(SMPS) sowie als Motorsteuerung, Mikro-Solar-Wechselrichter und schnell schaltenden DC-DC-Wandler-Anwendungen genutzt werden.
Weitere Informationen