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ISG0614N06NM5HSCATMA1

Name: Infineon ISG0614N06NM5HSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISG0614N06NM5HSC
Price: 4.07 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-ISG0614N06NM5HSC

Herst.- Nr.:

ISG0614N06NM5HSCATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs IFX FET 60V

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

ISG0614N06NM5HSCATMA1 Datenblatt (PDF)

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	CHF 2.84	CHF 28.40
	CHF 2.03	CHF 203.00
	CHF 1.82	CHF 910.00
	CHF 1.76	CHF 1'760.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 1.66	CHF 4'980.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TFN-10
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	233 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.3 V
Qg - Gate-Ladung:	68 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	167 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	6.8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	70 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	8.7 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	31 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	18 ns
Artikel # Aliases:	ISG0614N06NM5HSC SP005575184

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Datenblatt

ISG0614N06NM5HSCATMA1 Datenblatt (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 5 Leistungs-MOSFETs

Infineon OptiMOS™ 5 Leistungs-MOSFETs sind dazu konzipiert, den Anforderungen nach verbesserter Systemeffizienz bei reduzierten Systemkosten zu entsprechen. Diese Geräte weisen niedrigeren RDS(on) und Gütefaktor (RDS(on) x Qg) auf, verglichen mit alternativen Geräten. Sie wurden unter Verwendung einer neuen Siliziumtechnologie entwickelt und sind optimiert, um den Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte zu entsprechen und diese zu übertreffen. Zu den typischen Anwendungsbereichen dieser MOSFETs gehören Server, Datenkommunikation und Client-Anwendungen in der Computerbranche. Sie können außerdem in der Synchrongleichrichterschaltung bei Schaltnetzteilen(SMPS) sowie als Motorsteuerung, Mikro-Solar-Wechselrichter und schnell schaltenden DC-DC-Wandler-Anwendungen genutzt werden.
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