S80KS5122GABHI020

Infineon Technologies
727-S5122GABHI020
S80KS5122GABHI020

Herst.:

Beschreibung:
DRAM SPCM

ECAD Model:
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Infineon
Produktkategorie: DRAM
RoHS:  
HyperRAM
512 Mbit
8 bit
200 MHz
FBGA-24
64 M x 8
35 ns
1.7 V
2 V
- 40 C
+ 85 C
Tray
Marke: Infineon Technologies
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Montageart: SMD/SMT
Produkt-Typ: DRAM
Verpackung ab Werk: 338
Unterkategorie: Memory & Data Storage
Versorgungsstrom - Max.: 44 mA
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Ausgewählte Attribute: 0

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Konformitätscodes
CNHTS:
8542329010
USHTS:
8542320032
ECCN:
3A991.b.2
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Thailand
Herstellungsland:
Thailand
Land der Verbreitung:
Taiwan
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

S80KS5122 & S80KS5123 HYPERRAM™ 2,0 Speicher

Infineon Technologies S80KS5122 und S80KS5123 HYPERRAM ™ 2,0 Speicher hat eine hohe Geschwindigkeit, einen niedrigen Pin-Count, einen selbst-aktualisierenden Dynamic RAM (DRAM), für hochleistungsfähige eingebettete Systeme, die eine Erweiterung Speicher für   Scratchpad- oder Pufferzwecke erfordern.  HYPERRAM Produkte unterstützen JEDEC JESD251 Profil   konforme HYPERBUS™ und Octal xSPI-Schnittstellen, die   auf die Legacy-Funktionen von parallelen und Serielle Schnittstelle zurückgreifen und gleichzeitig die Systemleistung   und das einfache Design verbessern, während die Systemkosten gesenkt werden.   Die Architektur mit einer niedrigen Pin-Anzahl macht das HYPERRAM besonders geeignet für Applikationen mit einer begrenzten Leistung und Platz auf der Platine, die externes RAMaußerhalb des Chips erfordern.