S80KS5122GABHI020

Infineon Technologies
727-S5122GABHI020
S80KS5122GABHI020

Herst.:

Beschreibung:
DRAM SPCM

ECAD Model:
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Infineon
Produktkategorie: DRAM
RoHS:  
HyperRAM
512 Mbit
8 bit
200 MHz
FBGA-24
64 M x 8
35 ns
1.7 V
2 V
- 40 C
+ 85 C
Tray
Marke: Infineon Technologies
Land der Bestückung: TH
Land der Verbreitung: TW
Ursprungsland: TH
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Montageart: SMD/SMT
Produkt-Typ: DRAM
Verpackung ab Werk: 338
Unterkategorie: Memory & Data Storage
Versorgungsstrom - Max.: 44 mA
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CNHTS:
8542329010
USHTS:
8542320032
ECCN:
3A991.b.2