PTVA127002EV-V1-R0

Name: MACOM PTVA127002EV-V1-R0
Brand: MACOM
SKU: 941-PTVA127002EV1R0
Price: 795.44 CHF
Availability: Discontinued

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

941-PTVA127002EV1R0

Herst.- Nr.:

PTVA127002EV-V1-R0

Herst.:

MACOM

Beschreibung:

MOSFET HF-Transistoren RF LDMOS FET

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

PTVA127002EV-V1-R0 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	MACOM
Produktkategorie:	MOSFET HF-Transistoren
RoHS:
Transistorpolung:	N-Channel
Technologie:	Si
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	105 V
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	100 mOhms
Betriebsfrequenz:	1.2 GHz to 1.4 GHz
Verstärkung:	16 dB
Ausgangsleistung:	700 W
Maximale Betriebstemperatur:	+ 225 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	H-36275-4
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	MACOM
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Produkt-Typ:	RF MOSFET Transistors
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	MOSFETs
Typ:	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source-Spannung:	+ 10 V