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MMDT5551-TP

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

833-MMDT5551-TP

Herst.- Nr.:

MMDT5551-TP

Herst.:

Micro Commercial Components (MCC)

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT 200mA 160V

Lebenszyklus:

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Datenblatt:

MMDT5551-TP Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Micro Commercial Components (MCC)
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-363-6
Transistorpolung:	NPN
Konfiguration:	Dual
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	200 mA
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	160 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	180 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	6 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	150 mV
Pd - Verlustleistung:	200 mW
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	300 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	MMDT5551
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Micro Commercial Components (MCC)
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	80
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	9 mg

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Ausgewählte Attribute: 0

                        
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5-1018-01

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Datenblatt

MMDT5551-TP Datenblatt (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-3-13 (PDF)

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

MMDT5551HE3 Dual NPN Transistor

Micro Commercial Components (MCC) MMDT5551HE3 Dual NPN Transistor is an AEC-Q101 qualified small-signal Bipolar Junction Transistor (BJT) with a 600mA collector current. This BJT features a 180V collector-base voltage, 160V collector-emitter voltage, 6V emitter-base voltage, 200mA collector power dissipation and comes in a SOT-363 package. The MMDT5551HE3 transistor also features a 6pF maximum output capacitance, 300MHz maximum transition frequency, and a -55°C to 150°C operating junction temperature range. This BJT adheres to Moisture Sensitivity Level 1 (MSL 1), and the epoxy meets the UL 94V-0 flammability rating. The MMDT5551HE3 transistor is lead-free, halogen-free, and RoHS-compliant.