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APT34N80B2C3G

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

494-APT34N80B2C3G

Herst.- Nr.:

APT34N80B2C3G

Herst.:

Microchip Technology

Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

ECAD Model:

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Hersteller:	Microchip
Produktkategorie:	MOSFETs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	T-MAX-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	800 V
Id - Drain-Gleichstrom:	34 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	145 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.1 V
Qg - Gate-Ladung:	180 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	417 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	Microchip Technology
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	6 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	15 ns
Verpackung ab Werk:	1
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	70 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	25 ns
Gewicht pro Stück:	6 g