APT45GP120B2DQ2G

Microchip Technology
494-APT45GP120B2DQ2G
APT45GP120B2DQ2G

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 45 A TO-247 MAX
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Datenblatt:
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Microchip
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
T-Max-3
Through Hole
Single
1.2 kV
3.3 V
- 30 V, 30 V
113 A
625 W
- 55 C
+ 150 C
Tube
Marke: Microchip Technology
Kollektorgleichstrom Ic max.: 113 A
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: PH
Kriechstrom Gate-Emitter: 100 nA
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 1
Unterkategorie: IGBTs
Handelsname: POWER MOS 7 IGBT
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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