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APTMC120TAM12CTPAG

Mouser-Nr.:

494-MC120TAM12CTPAG

Herst.- Nr.:

APTMC120TAM12CTPAG

Herst.:

Microchip Technology

Beschreibung:

Diskrete Halbleitermodule CC6541

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Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

APTMC120TAM12CTPAG Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Microchip
Produktkategorie:	Diskrete Halbleitermodule
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung:	Tube
Marke:	Microchip Technology
Produkt-Typ:	Discrete Semiconductor Modules
Verpackung ab Werk:	1
Unterkategorie:	Discrete Semiconductor Modules

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USHTS:: 8541590080
ECCN:: EAR99

Siliziumkarbid(SiC)-Halbleiter

Microchip Technology Siliziumkarbid(SiC)-Halbleiter sind eine innovative Option für Leistungselektronik-Designer, welche den Systemwirkungsgrad verbessern, einen kleineren Formfaktor und höhere Betriebstemperaturen in Produkten im Bereich der Industrie, Medizintechnik, Militär-/Luft- und Raumfahrt, Luftverkehr und im Kommunikationsmarkt erzielen möchten. Die SiC-MOSFETs und SiC-Schottky-Barrier-Dioden (SBDs) der nächsten Generation von Microchip Technology wurden mit einer hohen repetitiven UIS-Fähigkeit (Unclamped Inductive Switching) entwickelt. Die SiC-MOSFETs können eine hohe UIS-Fähigkeit bei etwa 10 J/cm² bis 15 J/cm² bis 15 J/cm2 und einen robusten Kurzschlussschutz bei 3 ms bis 5 ms aufrechterhalten. Die SiC-SBDs von Microchip Technology sind für einen niedrigen Schaltverlust mit einem symmetrischen Stoßstrom, einer Durchlassspannung, einem thermischen Widerstand und thermischen Kapazitätswerten bei niedrigem Sperrstrom ausgelegt. Darüber hinaus können der SiC-MOSFET und die SiC-SBD für den Einsatz in Modulen gepaart werden.