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AT28C256-20DM/883

Name: Microchip AT28C256-20DM/883
Brand: Microchip Technology
SKU: 556-A28C25620DM883
Price: 204.47 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

556-A28C25620DM883

Herst.- Nr.:

AT28C256-20DM/883

Herst.:

Microchip Technology

Beschreibung:

EEPROM 256K 11MIL GRIND - 200NS

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Datenblatt:

AT28C256-20DM/883 Datenblatt (PDF)

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	CHF 204.47	CHF 204.47
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Hersteller:	Microchip
Produktkategorie:	EEPROM
Versandbeschränkungen:	Für den Export dieses Produkts aus den USA ist möglicherweise zusätzliche Dokumentation erforderlich.
RoHS:
Speichergröße:	256 kbit
Schnittstellen-Typ:	Parallel
Organisation:	32 k x 8
Verpackung/Gehäuse:	CDIP-28
Zugangszeit:	200 ns
Versorgungsspannung - Min.:	4.5 V
Versorgungsspannung - Max.:	5.5 V
Montageart:	Through Hole
Datenspeicherung:	10 Year
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	AT28C256
Verpackung:	Tube
Max. aktiver Lesestrom:	50 mA
Marke:	Microchip Technology
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsspannung:	5 V
Zugangszeit Ausgabefreigabe:	80 ns
Produkt-Typ:	EEPROM
Verpackung ab Werk:	14
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Versorgungsstrom - Max.:	50 mA
Gewicht pro Stück:	4.188 g

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ECCN:: 3A001.a.2.c

AT28C256 256-kBit-EEPROM-Speicher

Microchip AT28C256 256-kBit-EEPROM-Speicherbausteine sind leistungsstarke elektrisch-löschbare und programmiere Nur-Lese-Speicher (EEPROM). Der EEPROM-Speicher mit 256 kBit ist in 32.768 Wörter von jeweils 8-Bit organisiert. Diese Bausteine sind mit der erweiterten nichtflüchtigen CMOS-Technologie von Atmel hergestellt und bieten eine Zugriffszeit von 150 ns mit 440 mW Leistungsverlust. Der Zugriff auf die AT28C256 Speicherbausteine erfolgt wie bei statischen RAMs für den Lese- oder Schreibzyklus, ohne dass externe Komponenten erforderlich sind. Diese AT28C256 Bausteine enthalten ein 64-Byte-Seitenregister zum Schreiben von bis zu 64 Byte gleichzeitig. Die EEPROM-Bausteine verwenden eine interne Fehlerkorrektur für eine längere Endurance und bessere Datenhaltungseigenschaften.