Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

MSC010SDA070S

Name: Microchip MSC010SDA070S
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC010SDA070S
Price: 2.34 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

579-MSC010SDA070S

Herst.- Nr.:

MSC010SDA070S

Herst.:

Microchip Technology

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden SIC SBD 700 V 10 A TO-268

In Development Tools-Auswahl anzeigen

Datenblatt:

MSC010SDA070S Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Verfügbarkeit

Lagerbestand:: Nicht auf Lager

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 14 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks.

Menge eingeben:

Minimum: 270 Vielfache: 30

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Dieses Produkt wird KOSTENLOS versandt

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 2.34	CHF 631.80
	CHF 2.33	CHF 1’188.30
	CHF 2.31	CHF 2’356.20

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Microchip
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-268-3
Konfiguration:	Single
If - Durchlassstrom:	24 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	700 V
Vf - Durchlassspannung:	1.5 V
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	58 A
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tube
Marke:	Microchip Technology
Pd - Verlustleistung:	83 W
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Vr - Sperrspannung:	700 V

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

MSC010SDA070S Datenblatt (PDF)

DTS

In Development Tools-Auswahl anzeigen

PCN

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

Konformitätscodes

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Nicht lieferbar
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SiC-Schottky-Barriere-Dioden

Microsemi/Microchip SiC-Schottky-Dioden (SBD) bieten eine bessere dynamische und thermische Leistung als herkömmliche Silizium-Leistungsdioden. Die SiC-Barriere-Dioden (Siliziumkarbid, SiC) bestehen aus Silizium (Si) und Kohlenstoff (C). Im Vergleich zu reinen Silizium-Bauelementen bieten SiC-Bauelemente eine viel größere dielektrische Durchschlagsfeldstärke, eine höhere Bandlücke und eine höhere Wärmeleitfähigkeit. Die SiC-Schottky-Dioden verfügen über keine Durchlass- und Sperrverzögerungsladung, wodurch die Dioden-Schaltverluste reduziert werden können. Darüber hinaus bieten die Bauteile eine temperaturunabhängige Schaltung und gewährleisten eine stabile Hochtemperaturleistung.