MSC015SMA070S

Microchip Technology
494-MSC015SMA070S
MSC015SMA070S

Herst.:

Beschreibung:
SiC-MOSFETs MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-268
In Development Tools-Auswahl anzeigen

Datenblatt:
ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.
Mehr über
Weitere Informationen zu Microchip Technology MSC015SMA070S

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Microchip
Produktkategorie: SiC-MOSFETs
RoHS:  
SMD/SMT
D3PAK-3
1 Channel
700 V
112 A
19 mOhms
- 10 V, + 23 V
1.9 V
215 nC
- 55 C
+ 175 C
477 W
Enhancement
Marke: Microchip Technology
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 20 ns
Verpackung: Tube
Produkt-Typ: SiC MOSFETS
Anstiegszeit: 34 ns
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Transistors
Transistorpolung: N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 53 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 25 ns
Gewicht pro Stück: 6.200 g
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Philippinen
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs

Die Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs von Microchip Technology  bieten eine bessere dynamische und thermische Leistung als herkömmliche Silizium (Si)-Leistungs-MOSFETs.  Diese MOSFETs haben geringe Kapazitäten, niedrige Gate-Ladung, hohe Schaltgeschwindigkeit und hohe Avalanche-Robustheit Die SiC-MOSFETs können den Betrieb bei einer hohen Sperrschichttemperatur von 175°C stabilisieren. Diese MOSFETs bieten einen hohen Wirkungsgrad mit geringen Schaltverlusten. Die SiC-MOSFETs benötigen keine Freilaufdioden. Typische Applikationen sind intelligente Stromnetzübertragung und -verteilung, Induktionserwärmung und -schweißen sowie Energieversorgung und -verteilung.

Siliziumkarbid(SiC)-Halbleiter

Microchip Technology Siliziumkarbid(SiC)-Halbleiter sind eine innovative Option für Leistungselektronik-Designer, welche den Systemwirkungsgrad verbessern, einen kleineren Formfaktor und höhere Betriebstemperaturen in Produkten im Bereich der Industrie, Medizintechnik, Militär-/Luft- und Raumfahrt, Luftverkehr und im Kommunikationsmarkt erzielen möchten. Die SiC-MOSFETs und SiC-Schottky-Barrier-Dioden (SBDs) der nächsten Generation von Microchip Technology wurden mit einer hohen repetitiven UIS-Fähigkeit (Unclamped Inductive Switching) entwickelt. Die SiC-MOSFETs können eine hohe UIS-Fähigkeit bei etwa 10 J/cm2 bis 15 J/cm2 bis 15 J/cm2 und einen robusten Kurzschlussschutz bei 3 ms bis 5 ms aufrechterhalten. Die SiC-SBDs von Microchip Technology sind für einen niedrigen Schaltverlust mit einem symmetrischen Stoßstrom, einer Durchlassspannung, einem thermischen Widerstand und thermischen Kapazitätswerten bei niedrigem Sperrstrom ausgelegt. Darüber hinaus können der SiC-MOSFET und die SiC-SBD für den Einsatz in Modulen gepaart werden.

Verfügbarkeit

Lagerbestand:
Nicht auf Lager
Lieferzeit ab Hersteller:
13 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
CHF 15.12 CHF 15.12
CHF 13.94 CHF 139.40
CHF 13.55 CHF 1’626.00
CHF 13.49 CHF 3’642.30
CHF 13.47 CHF 6’869.70
1’020 Kostenvoranschlag

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten.


Haben Sie eine Frage? Bitte besuchen Sie das Hilfecenter.
Bei Fragen zu einer bestimmten Bestellung melden Sie sich bitte bei Ihrem Konto an.

Sollten Sie weitere Probleme haben, kontaktieren Sie uns bitte unter 800-346-6873 oder senden Sie eine E-Mail an help@mouser.com.