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MSC017SMA120S

Name: Microchip MSC017SMA120S
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC017SMA120S
Price: 37.75 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

579-MSC017SMA120S

Herst.- Nr.:

MSC017SMA120S

Herst.:

Microchip Technology

Beschreibung:

MOSFET-Module MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-268

Datenblatt:

MSC017SMA120S Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 32.92	CHF 329.20
	CHF 30.30	CHF 909.00
	CHF 29.63	CHF 3’555.60
510	Kostenvoranschlag

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Microchip
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	SiC
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	TO-268-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	100 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	17.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.7 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	357 W
Verpackung:	Tube
Marke:	Microchip Technology
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	21 ns
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	16 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Regelabschaltverzögerungszeit:	49 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	52 ns

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Datenblatt

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

MSC017SMA120x n-Kanal-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs

Microchip Technology MSC017SMA120x n-Kanal-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs bieten eine höhere Leistung im Vergleich zu Silizium-MOSFET- und Silizium-IGBT-Lösungen und senken gleichzeitig die Gesamtkosten in Hochspannungsapplikationen. Die MSC017SMA120x SiC-MOSFETs von Microchip bieten einen hohen Wirkungsgrad, um ein leichteres, kompakteres System mit verbesserten thermischen Fähigkeiten und niedrigeren Schaltverlusten zu ermöglichen.