Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

MSCSM120HM063CAG

Name: Microchip MSCSM120HM063CAG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSCSM120HM063CAG
Price: 647.23 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

579-MSCSM120HM063CAG

Herst.- Nr.:

MSCSM120HM063CAG

Herst.:

Microchip Technology

Beschreibung:

Diskrete Halbleitermodule PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C

Datenblatt:

MSCSM120HM063CAG Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Microchip Technology MSCSM120HM063CAG

Auf Lager: 1

Lagerbestand:: 1 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 18 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Dieses Produkt wird KOSTENLOS versandt

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 647.23	CHF 647.23

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Microchip
Produktkategorie:	Diskrete Halbleitermodule
RoHS:
Produkt:	MOSFET-SiC SBD Modules
Typ:	Full Bridge
Technologie:	SiC
Vf - Durchlassspannung:	1.5 V
Vr - Sperrspannung:	1.2 kV
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 25 V
Montageart:	Screw Mount
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Marke:	Microchip Technology
Produkt-Typ:	Discrete Semiconductor Modules
Verpackung ab Werk:	1
Unterkategorie:	Discrete Semiconductor Modules

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

MSCSM120HM063CAG Datenblatt (PDF)

PCN

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

AgileSwitch® Phasenstrecken-SiC-MOSFET-Leistungsmodule

Microsemi/Microchip AgileSwitch® Phasenstrecken-SiC-MOSFET-Leistungsmodule (Siliziumkarbid, SiC) sind mit SiC-MOSFETs und SiC-Dioden ausgestattet und kombinieren die Vorteile beider Bauteile. Diese Leistungsmodule haben ein SP6LI-Gehäuse mit extrem niedriger Induktivität und einer maximalen Streuinduktivität von 3 nH. Die SP6LI Leistungsmodule werden in 1200-V- und 1700-V-Varianten mit einer Gehäusetemperatur (T_C) von +80 °C angeboten. Das SP6LI-Gehäuse bietet eine höhere Leistungsdichte sowie einen kompakten Formfaktor und ermöglicht eine geringere Anzahl parallelgeschalteter Module, um vollständige Systeme zu erreichen, damit Designer ihre Geräte weiter verkleinern können.