TAV1-331NM+

Mini-Circuits
139-TAV1-331NM+
TAV1-331NM+

Herst.:

Beschreibung:
MOSFET HF-Transistoren SMT Low Noise Amplifier, 10 MHz - 4 GHz

ECAD Model:
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Mini-Circuits
Produktkategorie: MOSFET HF-Transistoren
RoHS:  
N-Channel
GaAs
60 mA
4 V
10 MHz to 4 GHz
12.3 dB
21.5 dBm
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Mini-Circuits
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 282 mS
Anzahl der Kanäle: 1 Channel
Pd - Verlustleistung: 400 mW
Produkt-Typ: RF MOSFET Transistors
Serie: TAV1
Verpackung ab Werk: 500
Unterkategorie: MOSFETs
Vgs - Gate-Source-Spannung: - 690 mV
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

TAV1 Transistors

Mini-Circuits TAV1-331NM+ and TAV1-541NM+ Transistors are designed with highly repeatable D-pHEMT and E-pHEMT technology in a small 1.4mm x 1.2mm package. The transistors feature a low noise figure, a high gain, and a high output IP3, which makes them ideal for sensitive receivers in communications systems. Mini-Circuits TAV1-331NM+ and TAV1-541NM+ Transistors provide a non-ferrous package leadframe that is non-magnetic for use in MRI and other magnetic-sensitive applications. The transistors are also utilized in 5G MIMO radio systems, Wi-Fi® 6, tactical radio, and orthogonal frequency-division multiplexing (OFDM) applications.