CM600DX-24T#110G

Mitsubishi Electric
917-CM600DX-24T
CM600DX-24T#110G

Herst.:

Beschreibung:
IGBT-Module IGBT MODULE T-SERIES NX TYPE DUAL

Datenblatt:
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Mitsubishi Electric
Produktkategorie: IGBT-Module
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RoHS:  
IGBT Modules
Dual
1.2 kV
1.65 V
600 A
500 nA
3.125 kW
- 40 C
+ 150 C
Marke: Mitsubishi Electric
Maximale Gate-Emitter-Spannung: 20 V
Montageart: Screw Mount
Produkt-Typ: IGBT Modules
Verpackung ab Werk: 12
Unterkategorie: IGBTs
Technologie: Si
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

T/T-1 Industrial IGBT Modules

Mitsubishi Electric T/T-1 Industrial Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Modules are equipped with a three-phase converter, inverter, and brake circuit (CIB), simplifying the design for inverter systems. The CIB modules reduce package size by 36% compared to the existing module. The T/T-1 series utilizes a 7th-generation IGBT produced using CSTBT™ and a diode while incorporating a relaxed field of cathode (RFC) structure. The construction eliminates the solder-attached section, increasing the thermal cycle lifetime. Mitsubishi Electric T/T-1 Industrial IGBT Modules improve the reliability of inverters, reduce power loss, and simplify the assembly process.

Industrial IGBT Modules

Mitsubishi Electric Industrial Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Modules incorporate a three-phase converter, inverter, and brake circuit (CIB) into a single package. These IGBTs offer a chip structure that evolved from a flat planar structure to a trench gate structure. The CSTBT™ technology enables low loss and a smaller size for industrial equipment. The industrial IGBT module lineup from Mitsubishi Electric features 5th-generation composite products with a thin profile (NX type) in addition to the former external shape (standard type), as well as 6th-generation S series, and the 7th-generation T/T1 series, with low power loss and a smaller size.

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