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AFT09MS007NT1

Name: NXP AFT09MS007NT1
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 841-AFT09MS007NT1
Price: 9.36 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

841-AFT09MS007NT1

Herst.- Nr.:

AFT09MS007NT1

Herst.:

NXP Semiconductors

Beschreibung:

MOSFET HF-Transistoren LANDMOBILE 7W PLD1.5W

Datenblatt:

AFT09MS007NT1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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CHF -.--

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 9.36	CHF 9.36
	CHF 7.25	CHF 72.50
	CHF 6.73	CHF 168.25
	CHF 6.14	CHF 614.00
	CHF 5.87	CHF 1'467.50
	CHF 5.70	CHF 2'850.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	CHF 5.55	CHF 5'550.00
4'000	Kostenvoranschlag

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	NXP
Produktkategorie:	MOSFET HF-Transistoren
RoHS:
REACH - SVHC:
Transistorpolung:	N-Channel
Technologie:	Si
Id - Drain-Gleichstrom:	3 A
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Betriebsfrequenz:	136 MHz to 941 MHz
Verstärkung:	15.2 dB
Ausgangsleistung:	7.3 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PLD-1.5
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	NXP Semiconductors
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	9.8 S
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Pd - Verlustleistung:	114 W
Produkt-Typ:	RF MOSFET Transistors
Serie:	AFT09MS007N
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	MOSFETs
Typ:	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source-Spannung:	+ 12 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.1 V
Artikel # Aliases:	935318254515
Gewicht pro Stück:	280 mg