BAS116LSYL

Nexperia
771-BAS116LSYL
BAS116LSYL

Herst.:

Beschreibung:
Kleinsignal-Schaltdioden BAS116LS/SOD882BD/XSON2

ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Verfügbarkeit

Lagerbestand:
0

Sie können dieses Produkt immer noch nachbestellen.

Auf Bestellung:
19’987
erwartet ab 02.06.2027
Lieferzeit ab Hersteller:
53
Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Lange Lieferzeit für dieses Produkt.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
CHF 0.246 CHF 0.25
CHF 0.14 CHF 1.40
CHF 0.086 CHF 8.60
CHF 0.062 CHF 31.00
CHF 0.053 CHF 53.00
CHF 0.048 CHF 120.00
CHF 0.041 CHF 205.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 10000)
CHF 0.036 CHF 360.00

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Nexperia
Produktkategorie: Kleinsignal-Schaltdioden
RoHS:  
Switching Diodes
SMD/SMT
DFN-1006BD-2
85 V
4 A
325 mA
Single
3 us
1.25 V
5 nA
- 55 C
+ 150 C
Reel
Cut Tape
Marke: Nexperia
Pd - Verlustleistung: 645 mW
Produkt-Typ: Diodes - General Purpose, Power, Switching
Verpackung ab Werk: 10000
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
Artikel # Aliases: 934663992315
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

                        
The factory is currently not accepting orders for this product.

Konformitätscodes
CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100070
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

BAS116LS-Q Diode mit niedrigem Ableitstrom

Die Nexperia BAS116LS-Q Diode mit niedrigem Ableitstrom ist in einem extrem kleinen unbedrahteten DFN1006BD-2(SOD882BD)-SMD-Kunststoffgehäuse (Surface Mounted Device, SMD) untergebracht. Das Gehäuse verfügt über seitenbenetzbare Flanken. Die BAS116LS-Q verfügen über eine Schaltzeit von max. trr = 3 ° s und einen niedrigen Ableitstrom von max. IR = 5 nA.