BUK9R4R5-40HJ

Nexperia
771-BUK9R4R5-40HJ
BUK9R4R5-40HJ

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs BUK9R4R5-40H/SOT8038/MLPAK56

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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 1.06 CHF 1.06
CHF 0.66 CHF 6.60
CHF 0.561 CHF 28.05
CHF 0.432 CHF 43.20
CHF 0.361 CHF 90.25
CHF 0.279 CHF 139.50
CHF 0.252 CHF 252.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 0.219 CHF 657.00
CHF 0.202 CHF 1'212.00
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Nexperia
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
MLPAK56-WF-8
N-Channel
1 Channel
40 V
91 A
4.5 mOhms
20 V
2.15 V
36 nC
- 55 C
+ 175 C
71 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Nexperia
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 14 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 24 ns
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 22 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 16 ns
Artikel # Aliases: 934670276118 934670276118, BXK9R4R5-40HJ
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Ausgewählte Attribute: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET

Der Nexperia BXK9Q29-60A N-Kanal-Trench-MOSFET ist ein Modus-Feldeffekt-Transistor (FET) in einem kleinen SOT8002-3 (MLPAK33) SMD-Kunststoffgehäuse, der auf der Trench-MOSFET-Technologie basiert. Dieser N-Kanal-MOSFET ist logikpegelkompatibel, schnell schaltend und vollständig fahrzeugqualifiziert für AEC-Q101 bei 175 °C. Der BXK9Q29-60A Trench-MOSFET zeichnet sich durch eine maximale Drain-Source-Spannung von 60 V, einen maximalen Spitzen-Drainstrom von 84 A und eine maximale Gesamtverlustleistung von 27 W aus. Dieser N-Kanal-MOSFET verfügt außerdem über einen typischen Drain-Source-Widerstand im eingeschalteten Zustand von 23,7 mΩ, eine maximale nicht wiederholbare Drain-Source-Avalanche-Energie von 25 mJ und einen maximalen nicht wiederholbaren Avalanche-Strom von 15,8 A. Der BXK9Q29-60A Trench-MOSFET ist EU/CN RoHS-konform. Typische Applikationen sind LED-Beleuchtung, Schaltungen und DC/DC-Wandlung.