NGW30T65M3DFPQ

Name: Nexperia NGW30T65M3DFPQ
Brand: Nexperia
SKU: 771-NGW30T65M3DFPQ
Price: 3.1 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-NGW30T65M3DFPQ

Herst.- Nr.:

NGW30T65M3DFPQ

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

IGBTs NGW30T65M3DFP/SOT429/TO247-3L

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

NGW30T65M3DFPQ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

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Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 3.10	CHF 3.10
	CHF 2.04	CHF 20.40
	CHF 1.20	CHF 120.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 30)
	CHF 2.04	CHF 61.20

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.5 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	57 A
Pd - Verlustleistung:	199 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Kollektorgleichstrom Ic max.:	90 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	100 nA
Produkt-Typ:	IGBTs
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	934668335127

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Datenblatt

NGW30T65M3DFPQ Datenblatt (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-10-23 (PDF)

Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NGWx Trench-Field-Stop-IGBTs

Die Trench-Field-Stop isolierte Gate-Bipolartransistoren (IGBTs) NGWx von Nexperia verfügen über Technologie der dritten Generation und kombinieren Trench-Gate-Strukturen mit Ladungsträger-Speicherung und Field-Stop-Strukturen (FS). Die IGBTs sind für Temperaturen bis zu 175 °C ausgelegt und bieten optimierte Ausschaltverluste bei einer Kurzschlussfestigkeit von 5 μs. Diese IGBTs mit 600 V und 30 A für das Hard-Switching sind für Hochspannungs- und Niederfrequenz-Applikationen in industriellen Wechselrichtern und Servomotorantrieben optimiert.