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PBHV8115Z,115

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-PBHV8115Z115

Herst.- Nr.:

PBHV8115Z,115

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.

Datenblatt:

PBHV8115Z,115 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SC-73-3
Transistorpolung:	NPN
Konfiguration:	Single
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	1 A
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	150 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	400 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	6 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	225 mV
Pd - Verlustleistung:	700 mW
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	30 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Kollektorgleichstrom:	1 A
DC Stromverstärkung hFE max.:	100 at 50 mA, 10 V
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	934061411115
Gewicht pro Stück:	1 g

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Datenblatt

PBHV8115Z,115 Datenblatt (PDF)

Application Notes

Thermal behavior of small-signal discretes on multilayer PCBs (v.1.0) (PDF)

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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PBHV8115Z,115

Herst.: Nexperia

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