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PHT6NQ10T,135

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-PHT6NQ10T135

Herst.- Nr.:

PHT6NQ10T,135

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

PHT6NQ10T,135 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-223-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	3 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	90 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	21 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 65 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.8 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	10 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	15 ns
Verpackung ab Werk:	4000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	20 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	6 ns
Artikel # Aliases:	934055876135
Gewicht pro Stück:	250 mg

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Datenblatt

PHT6NQ10T,135 Datenblatt (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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PHT6NQ10T,135

Herst.: Nexperia

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