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PMH550UNEH

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-PMH550UNEH

Herst.- Nr.:

PMH550UNEH

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.

Datenblatt:

PMH550UNEH Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-0606-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	770 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	670 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	450 mV
Qg - Gate-Ladung:	400 pC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	710 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	2 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	2.2 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	2 ns
Verpackung ab Werk:	10000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	4 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	1 ns
Artikel # Aliases:	934660491125
Gewicht pro Stück:	0.456 mg

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DFN0606 Trench-MOSFETs

Nexperia DFN0606 Trench-MOSFETs sind zur Verwendung mit der Trench-MOSFET-Technologie ausgelegt, um eine Spannung mit niedrigem Schwellenwert und eine sehr schnelle Schaltung zu bieten. Diese MOSFETs von Nexperia verfügen über einen Schutz gegen elektrostatische Entladungen (ESD) und sind in einem unbedrahteten, extrem kleinen DFN0606-3-Kunststoffgehäuse (SOT8001) zur Oberflächenmontage (SMD) verfügbar. Zu den typischen Applikationen gehören Mobiltelefone, Wearables und tragbare Geräte, Zubehör für Mobiltelefone, Kopfhörer, Ohrhörer und Hörgeräte.