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PMV240SPR

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-PMV240SPR

Herst.- Nr.:

PMV240SPR

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.

Datenblatt:

PMV240SPR Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-23-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	1.2 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	365 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	10 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	1.3 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	22 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	4 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel Trench MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	23 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8 ns
Artikel # Aliases:	934662233215
Gewicht pro Stück:	8 mg

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CNHTS:: 8541290000
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TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Kleinsignal-MOSFETs für die Fahrzeugindustrie

Die Kleinsignal-MOSFETs von Nexperia für die Fahrzeugindustrie bieten eine zuverlässige Leistung bei voller AEC-Q101-Konformität. Nexperia bietet ein großes Portfolio von Kleinsignal-MOSFETs mit Drain-Source-On-Guard-Widerstand so niedrig wie 15 mΩ, maximalem Drainstrom bis zu 6 A und Drain-Source-Spannungsoptionen von 20 V bis 100 V. Diese Bauteile von Nexperia werden in verschiedenen Gehäusetypen für Design-Flexibilität mit bedrahteten und unbedrahteten DFN-Optionen angeboten.