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PMV37ENEAR

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-PMV37ENEAR

Herst.- Nr.:

PMV37ENEAR

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.

Datenblatt:

PMV37ENEAR Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-23-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	3.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	49 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.3 V
Qg - Gate-Ladung:	8.8 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	1.3 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	18.2 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	7 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	13 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5 ns
Artikel # Aliases:	934661155215
Gewicht pro Stück:	8 mg

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Kleinsignal-MOSFETs für die Fahrzeugindustrie

Die Kleinsignal-MOSFETs von Nexperia für die Fahrzeugindustrie bieten eine zuverlässige Leistung bei voller AEC-Q101-Konformität. Nexperia bietet ein großes Portfolio von Kleinsignal-MOSFETs mit Drain-Source-On-Guard-Widerstand so niedrig wie 15 mΩ, maximalem Drainstrom bis zu 6 A und Drain-Source-Spannungsoptionen von 20 V bis 100 V. Diese Bauteile von Nexperia werden in verschiedenen Gehäusetypen für Design-Flexibilität mit bedrahteten und unbedrahteten DFN-Optionen angeboten.