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PMZ350UPEYL

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Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-PMZ350UPEYL

Herst.- Nr.:

PMZ350UPEYL

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

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Datenblatt:

PMZ350UPEYL Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-1006-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	1.4 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	940 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	450 mV
Qg - Gate-Ladung:	1.3 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	360 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	9 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	1.4 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5 ns
Verpackung ab Werk:	10000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	26 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	4 ns
Artikel # Aliases:	934068442315
Gewicht pro Stück:	0.800 mg

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Datenblatt

PMZ350UPEYL Datenblatt (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

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