PCDD0465G1_L2_00001

Panjit
241-PCDD0465G1L20001
PCDD0465G1_L2_00001

Herst.:

Beschreibung:
SiC Schottky Dioden 650V SiC Schottky Barrier Diode

ECAD Model:
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CHF 1.27 CHF 12.70
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Panjit
Produktkategorie: SiC Schottky Dioden
RoHS:  
SMD/SMT
TO-252AA-3
Single
4 A
650 V
1.5 V
280 A
2 uA
- 55 C
+ 175 C
SiC Gen.1
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Panjit
Pd - Verlustleistung: 46 W
Produkt-Typ: SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
Gewicht pro Stück: 321.700 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SiC Schottky Barrier Diodes

PANJIT SiC Schottky Barrier Diodes provide zero reverse recovery current, low forward voltage drop, and temperature-independent switching behavior. The devices have a high surge current capability, and excellent thermal performance. Silicon carbide technology provides lower conduction losses. The diodes can deliver stability and high ruggedness throughout -55°C to +175°C operating temperature range.