MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1

RAMXEED
249-85S256TYPNFGSBCR
MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1

Herst.:

Beschreibung:
F-RAM 256kbit FeRAM with SPI, AECQ100 125C- SOP8 T&R

ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 976

Lagerbestand:
976
sofort lieferbar
Auf Bestellung:
3’000
erwartet ab 16.07.2026
Lieferzeit ab Hersteller:
10
Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:
Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 7.56 CHF 7.56
CHF 7.03 CHF 70.30
CHF 6.82 CHF 170.50
CHF 6.66 CHF 333.00
CHF 6.50 CHF 650.00
CHF 6.30 CHF 1’575.00
CHF 6.14 CHF 3’070.00
CHF 5.89 CHF 5’890.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
CHF 5.88 CHF 8’820.00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
RAMXEED
Produktkategorie: F-RAM
RoHS:  
256 kbit
SPI
33 MHz, 40 MHz
32 k x 8
SOP-8
1.8 V
3.6 V
- 40 C
+ 125 C
AEC-Q100
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: RAMXEED
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Montageart: SMD/SMT
Betriebsversorgungsspannung: 3.3 V
Produkt-Typ: FRAM
Verpackung ab Werk: 1500
Unterkategorie: Memory & Data Storage
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8542329010
USHTS:
8542320071
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Japan
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Japan
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)

RAMXEED FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory featuring fast writing speed operation, high read/write endurance, and low power consumption. These features make FRAM ideal for applications requiring continuous data logging, real-time recording of three-dimensional position information, and data protection from sudden power outages.