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MB85RS4MLYPN-G-AWEWE1

Name: RAMXEED MB85RS4MLYPN-G-AWEWE1
Brand: RAMXEED
SKU: 249-85S4MLYPNGAWERE1
Price: 9.89 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

249-85S4MLYPNGAWERE1

Herst.- Nr.:

MB85RS4MLYPN-G-AWEWE1

Herst.:

RAMXEED

Beschreibung:

F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7 1.95V - DFN8 T&R (125?)

Datenblatt:

MB85RS4MLYPN-G-AWEWE1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	RAMXEED
Produktkategorie:	F-RAM
RoHS:
Speichergröße:	4 Mbit
Schnittstellen-Typ:	SPI
Maximale Taktfrequenz:	50 MHz
Organisation:	512 k x 8
Verpackung/Gehäuse:	DFN-8
Versorgungsspannung - Min.:	1.7 V
Versorgungsspannung - Max.:	1.95 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verpackung:	Reel
Marke:	RAMXEED
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	JP
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Betriebsversorgungsspannung:	1.8 V
Produkt-Typ:	FRAM
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Memory & Data Storage

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Datenblatt

MB85RS4MLYPN-G-AWEWE1 Datenblatt (PDF)

USHTS:: 8542320071
ECCN:: 3A991.b.1.b.1

AEC-Q100 Compliant SPI FeRAM Family

RAMXEED AEC-Q100 Compliant SPI Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM) Family is a high‑reliability lineup of nonvolatile ferroelectric memories designed for demanding automotive and industrial environments. These devices operate across a wide temperature range of -40°C to +125°C, making the devices suitable for harsh conditions commonly found in vehicles and high‑temperature equipment. Built on FeRAM technology, these RAMXEED components combine the nonvolatility of traditional EEPROM or Flash with the speed and endurance of SRAM‑like memory cells, offering exceptionally high read/write endurance (up to 10¹⁴ cycles in many automotive‑grade SPI variants), and instant, delay‑free writes that support frequent data updates without performance degradation.

MB85RS4MLY 4M (512K x 8) Bit SPI FRAM

RAMXEED MB85RS4MLY 4M (512K x 8) Bit SPI FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip features a configuration of 524,288 words x 8-bits. The devices utilize the ferroelectric and silicon gate CMOS process technologies to form nonvolatile memory cells. The MB85RS4MLY employs a Serial Peripheral Interface (SPI) and is ideal for high-temperature environment applications.

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)

RAMXEED FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory featuring fast writing speed operation, high read/write endurance, and low power consumption. These features make FRAM ideal for applications requiring continuous data logging, real-time recording of three-dimensional position information, and data protection from sudden power outages.