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MS85R4M1TAFN-G-JAE2

Name: RAMXEED MS85R4M1TAFN-G-JAE2
Brand: RAMXEED
SKU: 249-MS85R4M1TAFNGJAE
Price: 13.93 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

249-MS85R4M1TAFNGJAE

Herst.- Nr.:

MS85R4M1TAFN-G-JAE2

Herst.:

RAMXEED

Beschreibung:

F-RAM

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

MS85R4M1TAFN-G-JAE2 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	RAMXEED
Produktkategorie:	F-RAM
Speichergröße:	4 Mbit
Organisation:	512 K x 8
Verpackung/Gehäuse:	TSOP-44
Zugangszeit:	120 ns
Versorgungsspannung - Min.:	1.8 V
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 105 C
Verpackung:	Tray
Marke:	RAMXEED
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Produkt-Typ:	FRAM
Verpackung ab Werk:	126
Unterkategorie:	Memory & Data Storage

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Datenblatt

MS85R4M1TAFN-G-JAE2 Datenblatt (PDF)

PCN

Product Change Notification 2026-5-25 (PDF)

Konformitätscodes

USHTS:: 8542320000
ECCN:: 3A991.b.1.b.1

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Japan
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Parallel Interface FeRAMs

RAMXEED Parallel Interface FeRAMs are FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chips available in various bit configurations using ferroelectric and silicon gate CMOS process technologies. These devices can retain data without a backup battery, unlike SRAM. The memory cells in the RAMXEED Parallel Interface FeRAM can support 1014 read/write operations, a significant improvement over the read and write operations supported by Flash memory and E2PROM. These FeRAM devices use a pseudo-SRAM interface.