MS85R4M1TAFN-G-JAE2

RAMXEED
249-MS85R4M1TAFNGJAE
MS85R4M1TAFN-G-JAE2

Herst.:

Beschreibung:
F-RAM

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RAMXEED
Produktkategorie: F-RAM
4 Mbit
512 K x 8
TSOP-44
120 ns
1.8 V
3.6 V
- 40 C
+ 105 C
Tray
Marke: RAMXEED
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Montageart: SMD/SMT
Produkt-Typ: FRAM
Verpackung ab Werk: 126
Unterkategorie: Memory & Data Storage
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
USHTS:
8542320000
ECCN:
3A991.b.1.b.1
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Japan
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
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Parallel Interface FeRAMs

RAMXEED Parallel Interface FeRAMs are FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chips available in various bit configurations using ferroelectric and silicon gate CMOS process technologies. These devices can retain data without a backup battery, unlike SRAM. The memory cells in the RAMXEED Parallel Interface FeRAM can support 1014 read/write operations, a significant improvement over the read and write operations supported by Flash memory and E2PROM. These FeRAM devices use a pseudo-SRAM interface.