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2SC5103TLQ

Mouser-Nr.:

755-2SC5103TLQ

Herst.- Nr.:

2SC5103TLQ

Herst.:

ROHM Semiconductor

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

ECAD Model:

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Herst.:

ROHM Semiconductor

Herst.- Nr.:

2SCR586D3TL1

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT NPN 80V 5A 10W Pwr trnstr Low VCE

Mit dem aktuellen Teil vergleichen

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	NPN
Konfiguration:	Single
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	5 A
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	60 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	100 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	5 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	500 mV
Pd - Verlustleistung:	1 W
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	80 MHz
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	2SC5103
Verpackung:	Reel
Marke:	ROHM Semiconductor
Kollektorgleichstrom:	5 A
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	120
DC Stromverstärkung hFE max.:	270
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	1.430 g