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R6012FNX

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-R6012FNX

Herst.- Nr.:

R6012FNX

Herst.:

ROHM Semiconductor

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

ECAD Model:

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Herst.:

ROHM Semiconductor

Herst.- Nr.:

R6012JNXC7G

Beschreibung:

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 12A 3rd Gen, Fast Recover

Mit dem aktuellen Teil vergleichen

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220FP-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	12 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	510 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Qg - Gate-Ladung:	35 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	50 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Bulk
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	20 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	3.5 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	37 ns
Verpackung ab Werk:	500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	77 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	30 ns
Gewicht pro Stück:	2 g