RD3N06BATTL1

ROHM Semiconductor
755-RD3N06BATTL1
RD3N06BATTL1

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs Pch -80V -60A TO-252, Power MOSFET

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CHF 0.833 CHF 2’082.50

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ROHM Semiconductor
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TO-252-3
P-Channel
1 Channel
80 V
60 A
26 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
110 nC
- 55 C
+ 150 C
101 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: ROHM Semiconductor
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Abfallzeit: 170 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 23 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 46 ns
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 265 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 27 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99