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RF202LB2STBR1

Name: ROHM Semiconductor RF202LB2STBR1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RF202LB2STBR1
Price: 0.62 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RF202LB2STBR1

Herst.- Nr.:

RF202LB2STBR1

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

Gleichrichter RECT 200V 2A SM SUPER FST

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

RF202LB2STBR1 Datenblatt

ECAD Model:

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	CHF 0.624	CHF 0.62
	CHF 0.383	CHF 3.83
	CHF 0.252	CHF 25.20
	CHF 0.199	CHF 99.50
	CHF 0.17	CHF 170.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.14	CHF 420.00
	CHF 0.131	CHF 786.00
	CHF 0.127	CHF 1'143.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	Gleichrichter
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DO-214AA-2
Vr - Sperrspannung:	200 V
If - Durchlassstrom:	2 A
Typ:	Super Fast Recovery Diode
Konfiguration:	Single
Vf - Durchlassspannung:	850 mV
Max. Spitzenstrom:	40 A
Ir - Sperrstrom:	10 uA
Rückstellungszeit:	14 ns
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Produkt:	Rectifiers
Produkt-Typ:	Rectifiers
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers

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RF202LB2STBR1 Datenblatt

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CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

RF202LB2S superschnelle Freilaufdiode

Die superschnelle Freilaufdiode RF202LB2S von ROHM Semiconductor ist eine Silizium-Epitaxie-Planar-Diode mit niedrigem V_F und geringem Schaltverlust. Diese Diode verfügt auch über eine schnelle Sperrholzeit von typischerweise 14 ns und eine Sperrspannung von 200 V. Die RF202LB2S-Diode basiert auf einer planaren Silizium-Epitaxie-Konstruktion und ist in einem DO-214AA (SMB)-Gehäuse erhältlich. Diese Diode bietet 2 A durchschnittlichen gleichgerichteten Durchlassstrom und 40 A Stromstoß. Die superschnelle Freilaufdiode RF202LB2S ist RoHs-konform und arbeitet innerhalb des Temperaturbereichs -55 °C bis 150 °C. Diese Diode ist ideal für den Einsatz in allgemeinen Applikationen.