RGEX5TS65DGC13

ROHM Semiconductor
755-RGEX5TS65DGC13
RGEX5TS65DGC13

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT

Lebenszyklus:
End-of-Life-Produkt :
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ROHM Semiconductor
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-247GE-3
Through Hole
Single
650 V
1.65 V
30 V
102 A
306 W
- 40 C
+ 175 C
Tube
Marke: ROHM Semiconductor
Kollektorgleichstrom Ic max.: 75 A
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Kriechstrom Gate-Emitter: 200 nA
Produkt-Typ: IGBTs
Verpackung ab Werk: 600
Unterkategorie: Transistors
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Ausgewählte Attribute: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RGE-Field-Stop-Trench-IGBTs

Die RGE-Field-Stop-Trench-IGBTs von ROHM Semiconductor  zeichnen sich durch eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung, geringe Schaltverluste und eine Kurzschlussfestigkeit von 5 μs aus. Die  RGE-IGBTs von ROHM Semiconductor  sorgen für einen zuverlässigen Betrieb unter hochbelasteten Bedingungen. Die eingebaute schnelle und weiche Wiederherstellungs-FRD erhöht die Effizienz, während die RoHS-Konformität dank der bleifreien Beschichtung gewährleistet wird. Die RGE-Serie eignet sich perfekt für allgemeine Wechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme  (UPS), Stromaufbereiter und Schweißgeräte und bietet eine robuste Lösung für die Anforderungen des modernen Strommanagements.