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RGS50TSX2GC11

Name: ROHM Semiconductor RGS50TSX2GC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGS50TSX2GC11
Price: 7.19 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RGS50TSX2GC11

Herst.- Nr.:

RGS50TSX2GC11

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 25A, Field Stop Trench IGBT

Datenblatt:

RGS50TSX2GC11 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247N-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	2.1 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	30 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	50 A
Pd - Verlustleistung:	395 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tube
Marke:	ROHM Semiconductor
Kriechstrom Gate-Emitter:	500 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	450
Unterkategorie:	IGBTs
Artikel # Aliases:	RGS50TSX2

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PCN

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Thailand
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

RGSx0TSX2x Field-Stop-Trench-IGBTs

Die Field Stop Trench IGBTs RGSx0TSX2x von ROHM Semiconductor sind 10 µs SCSOA (Short Circuit Safety Operating Area) garantierte Insulated Gate Bipolar Transistoren, die für allgemeine Wechselrichter-, USV-, PV-Wechselrichter- und Power Conditioner-Applikationen geeignet sind. Die RGSx0TSX2x IGBTs bieten einen geringen Leitungsverlust, der zu einer reduzierten Größe und einem verbesserten Wirkungsgrad beiträgt. Diese Bauelemente nutzen die originale Trench-Gate- und Thin-Wafer-Technologie. Mithilfe dieser Technologien kann eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V_CE(sat)) mit reduzierten Schaltverlusten erzielt werden. Diese IGBTs bieten höhere Energieeinsparungen in einer Vielzahl von Hochspannungs- und Hochstrom-Applikationen.