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RQ5L030ATTCL

Name: ROHM Semiconductor RQ5L030ATTCL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ5L030ATTCL
Price: 0.68 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RQ5L030ATTCL

Herst.- Nr.:

RQ5L030ATTCL

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs Pch -60V -3.0A, SOT-346T, Small Signal MOSFET

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

RQ5L030ATTCL Datenblatt

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	CHF 0.429	CHF 4.29
	CHF 0.278	CHF 27.80
	CHF 0.212	CHF 106.00
	CHF 0.191	CHF 191.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.165	CHF 495.00
	CHF 0.152	CHF 912.00
	CHF 0.142	CHF 1'278.00
	CHF 0.135	CHF 3'240.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-346T-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	3 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	99 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	17.2 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	31 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	4 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	17 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	84 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	10 ns

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RQ5L030ATTCL Datenblatt

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RQxAT P-Kanal-MOSFETs

P-Kanal-MOSFETs RQxAT von ROHM Semiconductor verfügen über eine Gehäuse für Oberflächenmontage mit niedrigem On-Widerstand und sind zu 100 % Rg- und UIS-geprüft. Diese P-Kanal-MOSFETs bieten eine Gate-Source-Spannung von ±20 V. Die MOSFETs RQ3N025AT und RQ5L030AT verfügen über einen maximalen Drain-Source-On-Widerstand von 240 mΩ bzw. 99 mΩ. Diese P-Kanal-MOSFETs sind RoHs-konform und halogenfrei. Die MOSFETs RQ3N025AT und RQ5L030AT bieten eine Drain-Source-Spannung von -80 V bzw. -60 V. Diese P-Kanal-MOSFETs arbeiten im Temperaturbereich von -55°°C bis 150°°C. Typische Applikationen umfassen Schalt- und Motorantriebe.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.