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RS1E320GNTB

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RS1E320GNTB

Herst.- Nr.:

RS1E320GNTB

Herst.:

ROHM Semiconductor

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

ECAD Model:

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Herst.:

ROHM Semiconductor

Herst.- Nr.:

RS1E321GNTB1

Beschreibung:

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 32.1A(Id), (4.5V Drive)

Mit dem aktuellen Teil vergleichen

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Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	HSOP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	32 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	42.8 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	3 W
Verpackung:	Reel
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	28.5 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	35 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	15.6 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	74.6 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	21.8 ns
Artikel # Aliases:	RS1E320GN
Gewicht pro Stück:	771.020 mg