ISL6144IRZA

Renesas / Intersil
968-ISL6144IRZA
ISL6144IRZA

Herst.:

Beschreibung:
Hot Swap-Spannungscontroller W/ANNEAL 20LD 5X5 QF N ORING FET CONTRLR

Lebenszyklus:
End-of-Life-Produkt :
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CHF 3.67 CHF 3’596.60
CHF 3.49 CHF 10’260.60

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Renesas Electronics
Produktkategorie: Hot Swap-Spannungscontroller
RoHS:  
Controllers & Switches
1 A
75 V
9 V
1 Channel
4.5 mA
- 40 C
+ 105 C
SMD/SMT
QFN-EP-20
Tray
Yes
Marke: Renesas / Intersil
Eingangs-/Versorgungsspannung - Max.: 75 V
Eingangs-/Versorgungsspannung - Min.: 9 V
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Produkt-Typ: Hot Swap Voltage Controllers
Serie: ISL6144
Verpackung ab Werk: 490
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Gewicht pro Stück: 69 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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Konformitätscodes
CNHTS:
8542319099
CAHTS:
8542310000
USHTS:
8542310030
JPHTS:
854239099
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Malaysia
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

ISL6144 Hochspannungs-O-Ring-MOSFET-Controller

Renesas Electronics ISL6144 Hochspannungs-O-Ring-MOSFET-Controller und n-Kanal-Leistungs-MOSFETs erhöhen den Wirkungsgrad und die Verfügbarkeit der Stromverteilung. Dies geschieht, wenn eine O-Ring-Leistungsdiode in Hochstromapplikationen ersetzt wird. Diese Controller arbeiten in einem Versorgungsspannungsbereich von 9 V bis 75 V. Die ISL6144 Controller mit Hochgeschwindigkeits-Komparator (HS) bieten eine sehr schnelle Anschwingzeit von < 0,3 µs auf einen satten Kurzschluss auf der Quellenversorgung. Diese MOSFET-Controller sind in einem QFN-Gehäuse erhältlich und sind RoHS-konform. Zu den Applikationen gehören Datei- und Netzwerkserver (12 V und 48 V), Telekommunikations-/Datenkommunikationssysteme, Stromverteilungssysteme mit einer N+1-Redundanz und O-Ring-MOSFET-Steuerung in Stromverteilungssystemen.

LM5060-Q1 High-Side-Schutzregler

Texas Instruments LM5060-Q1 High-Side-Schutzregler mit geringem Ruhestromverbrauch bietet eine intelligente Steuerung für einen High-Side-n-Kanal-MOSFET während normaler Ein/Aus-Übergänge und Störungsbedingungen. Die nahezu konstante Anlaufzeit der Ausgangsspannung ist das Ergebnis der Einschaltstromsteuerung. Es ist sowohl ein Eingangs-UVLO (mit Hysterese) und ein programmierbarer Eingangs-OVP vorhanden, der eine Remote-Ein/Aus-Steuerung ermöglicht. Die Erstinbetriebnahme VGS Fehlererkennung-Verzögerungszeit und die Übergang VDS Fehlererkennung-Verzögerungszeit sowie die kontinuierliche Überstrom VDS Fehlererkennung-Verzögerungszeit wird von einem einzigen Kondensator programmiert. Der MOSFET ist gesperrt, bis entweder der Freigabe-Eingang oder der UVLO-Eingang auf niedrig und dann hoch geschaltet wird, wenn eine Fehlerbedingung länger als über die zulässige Verzögerungszeit besteht.