BUL1102EFP

STMicroelectronics
511-BUL1102EFP
BUL1102EFP

Herst.:

Beschreibung:
Bipolartransistoren - BJT High voltage fast-switching NPN power transistor

ECAD Model:
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CHF 1.84 CHF 1.84
CHF 1.03 CHF 10.30
CHF 0.79 CHF 79.00
CHF 0.64 CHF 320.00
CHF 0.573 CHF 573.00
CHF 0.515 CHF 1’287.50
CHF 0.469 CHF 2’345.00
CHF 0.463 CHF 4’630.00

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STMicroelectronics
Produktkategorie: Bipolartransistoren - BJT
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220FP-3
NPN
Single
4 A
450 V
12 V
1.5 V
30 W
+ 150 C
BUL1102E
Tube
Marke: STMicroelectronics
Kollektorgleichstrom: 4 A
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: SG
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min: 35 at 250 mA, 5 V, 12 at 2 A, 5 V
Produkt-Typ: BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk: 50
Unterkategorie: Transistors
Gewicht pro Stück: 2.565 g
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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