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IRF640FP

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-IRF640FP

Herst.- Nr.:

IRF640FP

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-Ch 200 Volt 18 Amp

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Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

IRF640FP Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Minimale Betriebstemperatur:	- 65 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	IRF640FP
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Kanalmodus:	Enhancement
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	25 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	11 S
Id - Drain-Gleichstrom:	18 A
Montageart:	Through Hole
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Verpackung/Gehäuse:	TO-220FP-3
Pd - Verlustleistung:	40 W
Produkt-Typ:	MOSFETs
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	180 mOhms
Anstiegszeit:	27 ns
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	Si
Transistorpolung:	N-Channel
Transistorart:	1 N-Channel
Typische Einschaltverzögerungszeit:	13 ns
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	200 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Singapur
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

IRF640FP

Herst.: STMicroelectronics

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