L99H92QF-TR

STMicroelectronics
511-L99H92QF-TR
L99H92QF-TR

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber H-Bridge Gate Driver for Automotive Applications

ECAD Model:
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Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2400)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 2.44 CHF 2.44
CHF 1.83 CHF 18.30
CHF 1.68 CHF 42.00
CHF 1.50 CHF 150.00
CHF 1.43 CHF 357.50
CHF 1.40 CHF 700.00
CHF 1.30 CHF 1’300.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2400)
CHF 1.30 CHF 3’120.00
CHF 1.27 CHF 6’096.00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

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STMicroelectronics
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
TQFP-32
2 Driver
2 Output
70 mA
6 V
28 V
Non-Inverting
200 ns
200 ns
- 40 C
+ 150 C
L99H92
AEC-Q100
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: STMicroelectronics
Eingangsspannung – Max: 28 V
Eingangsspannung – Min: 4.51 V
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Betriebsversorgungsstrom: 4.5 mA
Produkt-Typ: Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.: 2 us
Abschaltung: Yes
Verpackung ab Werk: 2400
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: Si
Gewicht pro Stück: 70 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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Konformitätscodes
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Italien
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

L99H92 Automotive-Halbbrücken-Vortreiber

Die L99H92 Automotive-Halbbrücken-Vortreiber von STMicroelectronics  steuern vier externe n-Kanal-MOSFET-Transistoren in einer einzelnen H-Brücken- oder einer unabhängigen Dual-Halbbrücken-Konfiguration für die DC-Motorsteuerung in Fahrzeuganwendungen an. Zwei frei konfigurierbare Strommessverstärker sind ebenfalls integriert. Im Stromsparmodus (standby-Modus) beträgt der Stromverbrauch weniger als 5µA. Der programmierbare Gate-Antriebsstrom ermöglicht die Reduzierung von EMI. Jeder Gate-Treiber überwacht (unabhängig) seine externe MOSFET-Drain-Quellenspannung auf Fehlerbedingungen. Die programmierbare Querstromschutzzeit verhindert die gleichzeitige High- und Low-Side-Aktivierung für jede Halbbrücke.